全球半導體市場集體鬆了一口氣：三星電子（Samsung Electronics）已成功避免其國內記憶體晶片製造廠一場可能造成嚴重打擊的工會罷工。資方與勞方代表在最後一刻達成協議，消除了本已極度緊繃的全球記憶體供應鏈再受進一步干擾的短期風險。然而，雖然眼前的威脅已經解除，但包括HBM、DDR及NAND在內的關鍵記憶體晶片所面臨的結構性短缺依然穩固存在，持續支撐整個行業的價格上漲與股票估值。
今日稍早，隨著首爾方面的消息傳出，美光科技（Micron Technology）、SanDisk及SK海力士（SK Hynix）等主要記憶體大廠的股價盤中漲幅顯著收窄。市場原本已將三星主要晶圓廠可能減產或停產的風險溢價計入股價，罷工得以避免後，引發了溫和的獲利了結回調。儘管如此，受整體市場走強以及供需失衡這一持續存在的現實所帶動，所有主要記憶體股票收盤仍錄得上漲。即便在這樣一個強烈的利多催化劑消失後，股價並未崩跌, 這充分說明了行業的基本面有多麼堅實。
要理解記憶體股票為何依然強韌，必須超越罷工這一二元風險。即使沒有進一步的干擾，多類記憶體晶片目前已嚴重短缺。對於NVIDIA H200及B200 GPU等AI加速器至關重要的高頻寬記憶體（HBM），由於產能爬坡緩慢，供貨仍然嚴重受限。用於伺服器及個人電腦的DDR4與DDR5 DRAM，在主要廠商多年來謹慎擴充產能之後，供應持續吃緊。而從企業級SSD到智慧型手機無所不在的NAND快閃記憶體，同樣難以滿足來自資料中心與消費電子產品反彈的需求。
為何這次短缺是「結構性」而非單純的週期性？答案在於近期需求增長的性質。過去18個月，生成式AI與大型語言模型的爆發，引發了AI基礎設施前所未有的建置熱潮。亞馬遜、微軟、Google及Meta等超大型企業每年斥資數百億美元用於新建資料中心，每個中心都需要大量的高效能記憶體。與此同時，個人電腦、智慧型手機、汽車等傳統市場正從後疫情時代的低迷中復甦，進一步加大了壓力。
擴產遠落後需求
然而，供給無法輕易跟上這波需求激增。興建新的記憶體晶圓廠需要數年時間，耗資數百億美元。即使新生產線投產，針對先進製程節點（例如1β DRAM或2XX層NAND）進行良率最佳化也是一項艱鉅的任務。因此，供給的擴張速度遠低於需求，分析師預期此差距至少會持續到2027年上半年。
美光、SK海力士及SanDisk（後者目前與Western Digital的快閃記憶體業務合併營運）依然擁有可觀的定價能力。近期HBM3E與GDDR7的合約談判中，出現了連續環比的雙位數百分比價格上漲。DRAM與NAND的現貨價格雖然較2025年的高點略有回落，但仍處於歷史高位。記憶體製造商的利潤率已大幅擴張，部分產品線的行業領先毛利率現已接近40%至50%。
