近期，領先的記憶體與儲存類股（如SK海力士、三星、美光等）出現拋物線式反彈，交出三位數回報的佳績。多家華爾街機構認為，這只是新一輪「記憶體超循環」的開端。投資銀行及研究機構指出，受AI數據中心建設需求壓倒現有產能與庫存帶動，DRAM與NAND價格將迎來多年上升趨勢。以Wedbush為例，該機構認為，AI伺服器所需記憶體是傳統機器的數倍，將大量吞噬供應，從而推動DRAM與NAND價格在2026年可能錄得三位數漲幅。
有關記憶體製造商將獲得「暴利」以及超循環即將來臨的評論，突顯該族群盈利槓桿轉折的速度之快。隨着AI工作負載推動，到2026年每五個NAND顆粒中就有一個用於AI應用，投行認為記憶體已從典型的景氣循環產業轉變為戰略性基礎設施。這支持即使該板塊已出現爆發式上漲，領先記憶體股票仍有進一步上升空間的觀點。當前持股者或許仍可適度減持部分倉位，但應考慮保留一些部位，以觀察這場「超循環」理論是否真的會推動股價大幅走高。
超循環的歷史對比與本質差異
回顧過去二十年的記憶體產業，典型周期性循環通常由供需短暫失衡驅動，隨後因廠商激進擴產而急速逆轉。然而當前的「超循環」展現出截然不同的結構性特徵。過去，智慧型手機與個人電腦的換機潮雖能帶動需求，但週期長度與價格漲幅相對有限。反觀此次生成式AI與大規模語言模型的訓練及推論需求，令超大規模資料中心營運商以前所未有的速度擴建算力叢集。英偉達（NVIDIA）新一代GPU平台對高頻寬記憶體（HBM）的依賴，使HBM成為整個AI供應鏈中的關鍵瓶頸。SK海力士與美光相繼宣布2025年HBM產能已完全售罄，而三星也積極追趕。這種「預訂產能」的模式，大幅降低了過去記憶體市場常見的需求驟降風險。
供需失衡的量化分析
根據TrendForce與Gartner的最新估算，2025年全球AI伺服器出貨量將較前一年成長超過60%，每台AI伺服器的DRAM平均搭載容量高達1.5至2TB，是通用伺服器的6至8倍。同時，NAND快閃記憶體方面，由於AI訓練需要反覆讀寫大量數據，企業級固態硬碟（SSD）的需求亦呈現爆炸性成長。機構預測，2024年至2027年間，用於AI應用的NAND位元出貨量年複合增長率將達到45%以上。供給端則面臨產能轉換的剛性限制——現有DRAM產線轉換至HBM需耗時一年以上且投資巨大，短期內無法快速增加供給。這意味著標準型DRAM與NAND的產能將被排擠，進一步推升價格。分析師普遍預期，2026年DRAM合約均價全年漲幅可能達到50%至80%，NAND則在40%至60%之間，部分高階產品確實有機會出現三位數年增。
主要業者的戰略佈局與股價動能
SK海力士憑藉其在HBM3E與HBM4技術上的領先地位，已與輝達簽訂長期供應協議，2025年第一季收入超越英特爾，躍升為全球第三大半導體公司。美光則受惠於美國晶片法案補貼，加速在愛達荷州與紐約州的先進製程擴廠。三星電子雖然在HBM領域起步較慢，但其龐大的DRAM產能與全球領先的NAND技術，仍使其能充分享受價格上漲帶來的利潤擴張。此外，中國記憶體廠商因設備限制，短期內無法參與高階市場競爭，這也降低了供給過剩的風險。
潛在風險與投資策略
儘管超循環敘事極具吸引力，投資人仍需留意幾項風險。第一，如果主要經濟體陷入衰退，企業資本支出可能急凍，AI基礎設施建設計畫也可能被推遲或縮減。第二，記憶體龍頭通常會在價格回升到一定水準後重啟產能擴張，一旦市場預期2027年供需將轉為寬鬆，股價可能提前見頂。第三，地緣政治因素如美國對中國的半導體出口管制進一步升級，可能擾亂全球供應鏈。 因此，當前較為審慎的策略是：對於已累積大量獲利的持股，可逢高調節20%至30%的倉位，實現部分收益；但不宜全數清倉，因為超循環的持續時間與價格漲幅往往超出多數預期。若2026年價格確實實現三位數增長，屆時記憶體類股市盈率可能仍有擴張空間。投資人應密切關注每月合約價格、HBM的良率進展，以及主要雲端服務商的資本支出指引。總而言之，這場由AI驅動的記憶體盛世，或許才剛剛翻開第一章。
陳俊文（Norman）是一位獨立投資策略師，擁有超過30年專業投資經驗，曾在家族辦公室、銀行、精品基金公司、財富管理公司工作。在其職業生涯中，管理過多種資產，包括全球股票投資組合、多元資產投資組合、基金中的基金和可轉換債券基金。Norman對全球金融市場及多種投資資產具深入了解，包括全球股票、債券（高等級、高收益、混合、可轉換）、衍生性商品（選擇權、認股權證、掉期等）以及各類多頭和多頭產品對沖基金。他經常接受媒體採訪，並曾擔任多家大專院校專業金融課程的客座講師。
